空间辐射严重威胁航天器电力，专家提出数项防辐射应对措施

发光流程里被囚的水份不会对锂离次子的微小钛材料助长碳转化、液态等宇宙学破损，加倍缓锂离次子的红光电类比生产成本。另外，发光阻抗过大时还不会助长锂离次子片和电亦然液态烧断，锂离次子在表格面上遭遇过载、元件烧掉，甚至有显然单独加剧红稀土报废、航空航天飞机停机等。

2 紫外线对锂锂离次子的制近

当风气力发电侦测附加器座落在地影期时，红稀土也就难以颇受益到牢固的风气力发电，此时就须要考虑到在自由空两者相互间电网的系统里加入用电锂离次子等二次掌控附加器以内含一定的红光照，与红稀土协同电力。

电源锂离次子锂离次子由于带有红光照密度较低、冷波动小、较低负载模拟器和无记忆波动等显眼好处，仍未带入继镉铝飞轮、铝氢飞轮之后的第三代自由空两者相互间用电掌控附加器，具战略分析方法前景。

然而，锂锂离次子在自由空两者相互间相对论性周边环境下不会感颇受到严旋即加的紫外线波动，现有的分析主要是针对自始负亦然等固体钛材料。锂锂离次子在紫外线周边环境下的效率退转化宇宙学性质如平面图1示意平面图，以DD和TID波动为主，紫外线不会对电亦然助长晶粒大小和微小粗糙度降低等各种微观弱点，并且紫外线弱点不会随着剂量的产借助于而日益增多，加剧电源锂离次子（Li+）在自始负电亦然在表格面上的传播冲击降低，锂（Li）的传播下式加倍缓，使电亦然内阻R降低，电亦然的发光意志气力变弱，自始负电亦然两者相互间的亦然转化降低，一总体加剧锂离次子的发光意志气力和倍率效率日益衰退；另一总体也不会助长锂离次子容量增较低。

平面图1

另外，由于电源锂离次子在自始亦然钛材料的传播意志气力缘故就比负亦然钛材料过关斩将，而紫外线又进一步扫描了这种电源锂离次子在自始负亦然上的传播冲击差异性，加剧锂离次子表格现借助于愈发严旋即加的自始负亦然两者相互间不对称。

紫外线周边环境下锂锂离次子的重新启动时宇宙学性质决不只是有用地局限于电亦然钛材料，这应该是一个多变量谐振的缺陷，仅限于外壳钛材料、形态上、电解液，甚至在表格面上确保附加半导体器件的基本制近。有学者分析发现，电解液也不会在紫外线制近下遭遇绿叶等情形，但是对于绿叶的宇宙学性质以及对电学效率的制近还未展开深入分析。

3 紫外线对电网半导体附加半导体器件的制近

航空航天飞机分布式电网的系统的负载离散与电网传输资料次子的系统用到了大量的电网半导体附加半导体器件，主要仅限于各种二亦然管、负载阀门附加半导体器件、激光间距调制（Pulse Width Modulation, PWM）分析方法分析方法硬件掌控附加器和DC-DC等。紫外线对电网半导体附加半导体器件的主要起着宇宙学性质仅限于DD、TID和SEE三种紫外线波动，下面解说几种近似于的电网半导体附加半导体器件颇受紫外线制近的起着宇宙学性质与负面影响。

1）双亦然型式真空管

双亦然型式真空管（Bipolar Junction Transistor, BJT）是阻抗掌控型式附加半导体器件，带有良好的阻抗传动装置意志气力、频谱属性、离散度和匹配属性等，近似于作小负载附加半导体器件传动装置与大负载MOSFET的前级传动装置。

BJT在紫外线周边环境下的效率退转化与事故感颇受到宇宙学性质如平面图2示意平面图，首先，BJT易颇受里次子紫外线的制近感颇受到DD波动，引发大部份器件的能量消耗降低，且沸点开始波动，进而使BJT在表格面上附加半导体器件的PN结自始向动态阻抗Rz降低，加剧阻抗率增加，并且在表格面上PN结不会将一外里次子透射，加剧PN结微小破损，表格现为PN结漏阻抗的降低。另外，BJT在TID波动的起着下不会在在表格面上附加半导体器件里感颇受到瞬时红光阻抗，这种突发的阻抗不会加剧BJT的导通状况倒置，助长阻抗传动装置功能性所致，若该红光阻抗过大，还显然加剧BJT烧掉等暂时性破损。

平面图2

紫外线对BJT助长的制近在效率参数上的外在表格征主要是阻抗增益hFE加倍缓、结漏阻抗降低、饱和电阻值VCES降低以及击毁负载降低等。

2）结形场波动真空管

结形场波动真空管（Junction Field Effect Transistor，JFET）是负载掌控型式附加半导体器件，其阀门较慢、频谱下式低，广为分析方法于负载反馈扫描附加器等离散分析方法分析方法硬件附加半导体器件，其扫描下式与跨导gm呈自始特别。

JFET是大部份器件附加半导体器件，较超子相对论性紫外线对它的起着宇宙学性质主要是DD和TID波动。DD波动对JFET的效率制近主要表格现在JFET的gm变小、漏亦然阻抗降低及夹断负载Vp变小等，其里，Vp的引人注意度较低；而TID的参数制近则主要集里在JFET的三道亦然与漏亦然之两者相互间的驱漏阻抗。

3）MOSFET

MOSFET在压缩空气低速下仍能保持一致良好的阀门属性，带入了航空航天飞机上近似于的二次掌控附加器负载阀门附加半导体器件。从破损波动来说，MOSFET附加半导体器件对TID和SEE波动颇为引人注意。

TID在MOSFET在表格面上附加半导体器件里不会组合成氧转化层引诱磁气力或Si/SiO2图形界面态磁气力，它们对MOSFET的效率制近也不尽并不相同。总的来说，TID对于MOSFET的效率制近有梯度负载VT偏移、gm变小、关断阻抗降低、能量消耗退转化、驱漏阻抗降低、导通阻抗降低、三道亦然磁气力水平升较低、击毁负载加倍缓及闪烁频谱（1/f频谱）降低等。

MOSFET在旋即加离次子的起着下不会遭遇SEB和SEGR。遭遇SEB时，其漏亦然和源亦然阻抗经；也借助于现激光式的降低并在在更大的耗电，旋即一加剧MOSFET烧掉。遭遇SEGR时，旋即加离次子透射使得三道真空SiO2的磁场过关斩将度突增，最少其临界击毁场过关斩将时，击毁不会加剧MOSFET暂时性重新启动时。

4）IGBT

IGBT作为主逆的电网半导体附加半导体器件，在10～100kHz的里压、里阻抗负载附加半导体器件里占有更为旋即加要的威望。它在表格面上是一种MOS-BJT复合形态，易颇受到TID和SEE波动的制近。

IGBT在TID的起着下不会经；也借助于现其在表格面上的MOS形态对于BJT形态的掌控意志气力退转化，三道亦然年中指导工作耐用性加倍缓等。结构性参数变转化有VT偏移、gm变小和自始向阻抗属性变差等。

SEE对IGBT的制近：单相对论性透射容易引致其在表格面上的PN-PN形态遭遇SEL，三道氧转化层磁场过关斩将度的突增不会加剧SEGR；IGBT在压缩空气下对SEB带有更较低的孔径，不会遭遇全线通车阴亦然和阳亦然的附加半导体器件烧掉。

5）PWM分析方法分析方法硬件掌控附加器

由于在表格面上分析方法分析方法硬件了许多直觉附加半导体器件，因此容易颇受到SEE的制近，加剧激光漏失、掌控闭夹住、桥臂直通和PWM掌控附加器破坏等致命负面影响，进而制近电网的系统里整逆附加器、标量、硬阀门、多电平附加半导体器件、锂锂离次子广州地区和传动装置传动装置等附加半导体器件的自始；也指导工作。

6）DC-DC离散附加器

作为负载离散分的系统的不可或缺合组外，由负载阀门管S（IGBT，MOSFET等）、二亦然管VD、电感L和元件C等基本元附加半导体器件组合成，阀门管的传动装置接收器由PWM发借助于，双向DC-DC离散附加器如平面图3示意平面图。

平面图3

IGBT等次子附加半导体器件在紫外线必须下的参数退转化将引发DC-DC离散附加器的效率颇受到破坏，加剧其类比生产成本加倍缓、编码附加器负载属性偏移或退转化、编码附加器纹波负载降低及编码附加器频谱降低等。另外，若PWM掌控附加器颇受SEE的制近发借助于的激光传动装置接收器借助于错也将加剧DC-DC离散附加器的编码附加器不牢固甚至突发性事故。

4 紫外线对导电钛材料的制近

随着中华民人和探测人造卫星等航空航天飞机对长生命期、较低效率和大负载的效益日益降低，星用电网和一些设备在表格面上导电真空的指导工作负载最多可达上千伏，在较超子相对论性紫外线与较低指导工作负载的周边环境下，电网等导电钛材料将不会感颇受到严旋即加的内磁气力情形，自由空两者相互间导电钛材料的击毁与事故政治事件数量年中增长趋势，严旋即加制近红光照的牢固传输资料。

导电钛材料在紫外线周边环境下的效率退转化与事故感颇受到宇宙学性质如平面图4示意平面图。一总体，较超子相对论性不会穿过电网蒙皮及压缩空气设备的壳体，通过TID和DD波动，在导电真空的在表格面上组合成磁气力产借助于；另一总体，上千伏压缩空气指导工作周边环境下的导体也不会将外磁气力逆过导电真空的在表格面上，旋即次组合成磁气力产借助于。

平面图4

较超子相对论性和较低指导工作负载协同起着助长在表格面上的自由空两者相互间磁气力产借助于将使电真空一处磁场遭遇畸变，缔造钛材料在表格面上的红光照平衡状况，而红光照失衡将加速钛材料的开裂、导电效率增较低等破损流程，旋即一加剧导电钛材料局部发光或者击毁，甚至经；也借助于现放激光单独谐振进到不可或缺附加半导体器件、引发压缩空气过载、电力里断等旋即加大事故。

电网等导电钛材料在紫外线周边环境下遭遇内磁气力波动的严旋即加高度，不仅与紫外线过关斩将度和总紫外线时两者相互间特别，还颇受到导电真空钛材料属性和指导工作周边环境等因素的制近。科学研究表格明，电网的指导工作负载越较低，其发光阻抗的幅值就越。

5 紫外线对红光照管理的系统的制近

红光照管理的系统是航空航天飞机分布式电网的系统的大脑，负责协调管理的系统里的红光照森林资源，安全及供用电的平衡、有所改善红光照能量密度等。颇受较超子磁气力相对论性紫外线的制近，红光照管理的系统里的夹住存附加器、硬盘、运算扫描附加器、PLL、FPGA和DSP等掌控附加半导体器件对SEE更为引人注意，加剧的系统对多种不同负重两者相互间红光照的分配、调度等掌控所致或重新启动时，甚至经；也借助于现旋即加要负重停机等严旋即加负面影响。

1）紫外线对PLL的制近

PLL是一种互联振幅与相位的混合接收器附加半导体器件，带有计时附加器降解与互联、振幅还原、计时附加器资料恢复和颇受益相位反馈等功能性，由于其形态有用、特性较低，被广为分析方法于FPGA、DSP等各种掌控CPU里。但紫外线周边环境下的PLL对SET更为引人注意，容易遭遇夹住相环失夹住，进而助长编码附加器相位或者振幅经；也借助于现偏移，甚至加剧终值振荡、的系统计时附加器树所致等负面影响。

2）紫外线对FPGA的制近

FPGA附加半导体器件的分析方法分析方法硬件度较低、直觉生产能气力大，带有灵活的可旋即加复处理程序员属性、短短时间产品转化属性和过关斩将大的并发处理流程意志气力，以外仍未被广为分析方法于斜坡与航空航天的红光照管理的系统里。

自由空两者相互间电网的系统里用到的FPGA的紫外线波动以SEE为主，同样是基于可执行随机存取硬盘（Static Random-Access Memory, SRAM）的FPGA。以下解说各种多种不同的SEE对FPGA助长的制近，FPGA里的单相对论性波动见表格1。

表格1

3）紫外线对DSP的制近

DSP近似于于降解负载附加半导体器件的PWM传动装置接收器等，它过关斩将大的十进制电子计算机流程功能性要相结合其在表格面上分析方法分析方法硬件的硬盘、寄存附加器、地址处理程序译码各别和乘加各别等协同收尾。因此如果其里任何一个部件在紫外线周边环境下遭遇重新启动时都显然加剧整个DSP功能性的所致，对DSP制近较少的紫外线波动见表格2。

表格2

紫外线短短时间反应解决方案

1 风气力发电锂离次子的抗紫外线修复

为了使MW很难符合航空航天飞机上的负重效益，风气力发电锂离次子需在整个任务期两者相互间保持一致自始；也运转。即使短时两者相互间的电力里断，也显然加剧整个航空航天飞机遭遇旋即加大事故。并且自由空两者相互间掌控附加器的系统不仅有抗紫外线效率的必需，而且还期盼红稀土同时带有能量密度轻、生产成本较低、负载大以及能在自由空两者相互间周边环境里列车运行数年甚至数十年的好处。根据紫外线对红稀土的起着宇宙学性质分析，其抗紫外线修复主要从以下两总体考虑到。

1）磁气力相对论性紫外线修复

（1）形态提较低效率——加倍薄骨架风气力发电锂离次子的较厚

适当地加倍薄次子锂离次子较厚，从而加倍缓红光生器件在驶离自由空两者相互间磁气力区前的复合率，以加倍缓红光生器件的颇受益生产成本，可加倍缓紫外线对红光电类比生产成本的制近。但是可能会地加倍薄其较厚又不会加剧红光器件的外萎缩，因而用于该步骤有一定的上限必须。

（2）玻璃盖片

在红稀土能量密度必需的意味著，在其外微小装配一定较厚的玻璃盖片，可以在一定高度上加倍缓磁气力相对论性对红稀土的损害。

尽管装配玻璃盖片可以阻止外超子相对论性透射到锂离次子在表格面上，但是却难以重定向带有亦然过关斩将穿透气力的较超子（红光照级为MeV）相对论性。并且玻璃盖片的红发射光谱借以率不会由于紫外线相对论性在其微小的产借助于经；也借助于现明显的增较低，进而制近锂离次子的红光电类比生产成本。另外，只求地降低破片盖片的较厚还不会上限红稀土锂离次子的比负载（负载与能量密度比），降低红稀土侦测附加器的基本能量密度，难以符合航空航天飞机碳纤维的必需。

（3）新型式锂离次子

以外，III-V人和的GaInP/GaAs/Ge多结红稀土由于其红光电类比生产成本较低、耐紫外线意志气力过关斩将、湿度波动好、红发射光谱借以率较低和能量密度轻等好处，自始逐步替代基本上的单晶钨、铟红稀土，带入各种航空航天飞机风气力发电侦测附加器的选用锂离次子。

然而，市场需求上典型式的GaInP/GaAs/Ge三结自由空两者相互间锂离次子的较厚等于200%u3BCm，且在具体用于里，一般要装配额外的紫外线重定向（如玻璃盖片），这将不会上限红稀土锂离次子的比负载和量。若对于自由空两者相互间红稀土侦测附加器的碳纤维有较低必需，可以考虑到使用如平面图5示意平面图的毛细（Nano Wire, NW）GaAs红稀土。

平面图5

它由几百万个单一的、垂直的和较低转变多端比的半导体纳米形态并联合组，用于时无需装配玻璃盖片，其比负载和耐紫外线属性都要过关斩将于普通的GaAs红稀土，同样是其截断负载VOC在离次子透射引致DD波动下的恢复意志气力大大增过关斩将。

此外，还经；也借助于现了晶格匹配锂离次子、钙钛矿锂离次子、多量次子自由电子或量次子点锂离次子、径向生长锂离次子及它们的混合锂离次子等新型式红稀土，它们符合较低的类比生产成本与抗紫外线效率，但是颇受限于较低效率年中性，未曾大生产能气力分析方法。

2）微小充发光波动破片

预防红稀土侦测附加器微小充发光波动的遭遇，就要尽显然加倍缓红稀土侦测附加器微小的磁气力。以外，针对强磁场周边环境引发红稀土充发光波动的破片步骤大致可分相反破片与主动破片两种。

（1）相反破片

微小钛材料。对于渗入在强磁场周边环境里的玻璃盖片、红稀土、钛互连片以及一组钛材料微小，可使用带有较低二次电次子火箭下式的钛材料，有效地加倍缓其微小电源梯度，加倍缓二次发光高风险。

其设计与技艺。从加倍缓发光梯度角度看考虑到，可在相邻锂离次子串的两者之过道均匀地涂覆液态硫转化（Room Temperature Vulcanized, RTV）钨橡胶；提较低效率红稀土侦测附加器附加半导体器件布片其设计（如使用“S”型式的布片手段）；在意味著负载效益的前提下，加倍缓其指导工作负载、降低锂离次子串两者之过道、变小锂离次子串阻抗等。

有学者在100.3V压缩空气都从红稀土缓冲器的并联两者之过道涂敷RTV钨橡胶，科学研究表格明，其二次发光梯度很难达到200V以上。但如果RTV钨橡胶涂覆的均匀度不足，将不会使破片优点急剧弱化。

重定向。将航空航天飞机外微小其设计成电磁学捕虫，为航空航天飞机上的红稀土、线缆等电网附加半导体器件共享宇宙学与技工上的电磁波干扰重定向。

过滤。装配电磁波线性破片，预防由红稀土二次放激光持续性附加半导体器件倒置，引发电网的系统事故。

玻璃盖片。玻璃盖片不仅可以重定向超子相对论性，还能预防强磁场单独触及红稀土，可抑制自由空两者相互间磁气力在其微小的产借助于[39]。

以上五种都是相反破片手段，未曾从源头上解决磁气力积累引致的磁气力增加缺陷，当锂离次子与一处周边环境的磁气力最少发光梯度时，仍不会感颇受到二次发光。

（3）主动破片

电次子枪。该步骤通过安装强磁场遭遇附加器，的环火箭较低密度强磁场云，进而建立锂离次子与一处周边环境的技工直达渠道，及时驱放掉锂离次子微小产借助于的自由空两者相互间磁气力，尽显然充分能用红稀土与一处强磁场周边环境的磁气力基本保持一致平衡，也就不不会遭遇二次发光。此步骤通过掌控磁气力可抑制锂离次子微小的磁气力积累，已最终分析方法于国际自由空两者相互间站。

导电膜。在玻璃盖片第二大块蒸铸铁一层铟瓦氧转化物（Indium Tin Oxide, ITO）透明导电膜，并将每片盖片上的导电膜进行时技工直达，旋即将导电膜互联经引借助于线与人造卫星“形态地”相接，玻璃盖片蒸铸铁ITO膜如平面图6示意平面图。

该步骤在玻璃盖片外微小组合成了一个磁气力的导通网，可及时地将产借助于到盖片微小的磁气力通过导通网驱放，进而变小红稀土微小的磁气力，使其相比之下于等梯度。

平面图6

此步骤已最终分析方法于中华民人和“地球探测双星计划”，然而，ITO导电膜本身不会加倍缓玻璃盖片对阳红光的透射率，制近红稀土的红光电类比生产成本。有学者使用透射蒸发法制备了一种视图状的ITO导电膜，表格现借助于较低的阳红光透射率与良好的梯度掌控效率。

2 电网半导体附加半导体器件的抗紫外线修复

1）钛材料为了让

在附加半导体器件钛材料总体，除了基本上的钨（Si）钛材料，仍未相继技术开发借助于在钻石导电二氧化钛钛材料上外延生长一层钨钛材料（Silicon On Sapphire, SOS）、导电体上钨（Silicon On Insulator, SOI）钛材料、GaAs钛材料、SiC钛材料、GaN钛材料、SiGe钛材料、金刚石及铁电钛材料等，近似于电网半导体附加半导体器件钛材料的抗紫外线效率与分析方法见表格3。

表格3

表格3（续）

2）附加半导体器件与技艺修复

针对多种不同的电网半导体附加半导体器件，以外主要有以下附加半导体器件与技艺级的修复采取措施。

（1）BJT。集电亦然：对较引人注意的集电亦然微小降低参杂；加倍薄斯洛比德卡微小氧转化层；对较低参杂斯洛比德卡用于确保环。火箭亦然：要能变小其宽；在其氧转化层上放到钛层；其设计时意味著其宽与占地比最小；其制作钛材料用铟等。

（2）JFET。针对DD波动，加倍缓沟道参杂沸点。针对TID波动，在管次子一处降低可避免用的确保环来降低管次子之两者相互间的漏阻抗等。

（3）MOSFET。降低鸟嘴和场氧区下的参杂沸点；在导电层内肥皂磷；在SiO2里肥皂铬；使用Si-SiO2-钛-SiN-SiO2形态；对P自由电子用于旋即加参杂确保环；变小鸟嘴区梯度；加倍薄三道氧转化层较厚等。

（4）IGBT。年中性加倍薄三道氧转化层较厚；阳亦然侧降低N附加层或加大偏移区参杂；在三道氧转化层注硫等。

3）附加半导体器件其设计修复

在其设计电网半导体附加半导体器件的在表格面上附加半导体器件时，有以下采取措施：在符合指导工作须要的必须下，要能给定较低频真空管和小负载真空管，用于二亦然管代替三亦然管，用薄膜阻抗代替传播阻抗，加倍缓真空管的指导工作负载或加大负载侧阻抗。

3 导电钛材料的抗紫外线修复

将来航空航天飞机分布式电网的系统里的大负载传输资料电网须要在1kV甚至10kV以上的压缩空气周边环境下指导工作，因此需加倍缓导电真空在压缩空气指导工作必须下的抗紫外线效率，可抑制自由空两者相互间磁气力在导电真空在表格面上的积累，延缓钛材料破损，加倍缓指导工作生命期。以外主要的短短时间反应思路有三种：

（1）加倍缓导电真空的通量。以进一步加倍缓在表格面上基岩磁气力的驱放速率，但通量过较低不会加剧负载耗费过大和耗电增加，因此这种步骤的分析方法颇受到更大的上限。

（2）非离散电导率不饱和。即对导电真空通过加入无机纳米氧转化物等途径进行时非离散电导率不饱和，它是指当钛材料承颇受最少其梯度磁场时量通量遭遇非离散转化增加的一种情形。这种属性使导电真空既能在磁气力产借助于到危险梯度先为暂态较低电导率的形式将危险磁气力驱放掉，又同时符合了自始；也低速下较过关斩将的导电效率。但是该步骤显然不会加剧压缩空气传输资料电网自始；也指导工作时感颇受到较少的负载耗费，因此须要进一步基础上。

（3）磁鞘破片法。基本概念是能用超导钛材料制作一组环形磁鞘，放到在导电钛材料的一处，给磁鞘通电后其在表格面上的阻抗不会在导电钛材料一处感颇受到较过关斩将的磁场。透射的较超子电次子在磁场里不会颇受到相对论气力的起着遭遇民族运动同方向震荡，而难以进到导电真空的在表格面上。但是外红光照很较低的电次子在相对论气力起着下的震荡角度看很小，旋即一几乎不会进到导电真空的在表格面上，感颇受到内磁气力波动。

4 红光照管理的系统的紫外线短短时间反应解决方案

由于FPGA和DSP都是以单相对论性波动而加剧的效率退转化为主，所以关于红光照管理的系统的紫外线短短时间反应解决方案，主要解说FPGA和DSP等掌控CPU针对单相对论性波动的短短时间反应组态，其他紫外线波动可以详见上述其他电网附加半导体器件的修复步骤。

1）底层硬件修复

对红光照管理的系统进行时底层硬件的抗紫外线修复除了之前讲到的各种次子附加半导体器件的抗紫外线修复采取措施，还可以考虑到元附加半导体器件为了让、小阻抗限逆、基本重定向、提较低效率附加半导体器件和版平面图其设计等步骤。

（1）元附加半导体器件为了让。为变小SEU遭遇的概率，在符合效率必需的前提下，可以给定基于反熔丝的FPGA。

（2）小阻抗限逆。在掌控附加器入口处并联一个小阻抗，进而可以上限须要较少维持阻抗的SEL等紫外线波动，但是该步骤一组的小阻抗不会两者相互间接降低的系统的列车运行时脉。

（3）使用铝、铅、钽等钛材料对嵌入后的掌控CPU进行时基本重定向。

（4）提较低效率附加半导体器件和版平面图其设计。在CPU其设计时使用可避免槽、参杂自由电子，同时加入去能量守恒、可避免和赔偿金等附加半导体器件，以降低CPU的抗紫外线意志气力。

2）连续搜索算法

（1）以求连续处理程序缓存（Cache）

FPGA、DSP等掌控CPU不会将执行过的指示代码暂时存储设备在Cache里，以在并不相同指示的频繁存取时进一步加倍缓列车运行速率。但是，一旦Cache里遭遇了SEU等紫外线波动，此时的系统命令行Cache里差错的指示将加剧处理程序借助于错或停滞，而且由于穿越了处理程序区的检验，这种差错难以被及时发现。

因此可以其设计连续Cache的搜索算法，使管理的系统以求地清空显然构成差错代码的Cache，旋即将自始确的指示代码旋即加新缓存到Cache里，这样就可以加倍缓的系统命令行Cache里差错代码的高风险。但是频繁地连续Cache不会加旋即加管理的系统的列车运行负担，所以其设计连续搜索算法时须要适当地内置连续两者相互间隙。

（2）以求连续掌控寄存附加器

同理，掌控寄存附加器里存储设备着的系统掌控标志位和宇宙学地址等旋即加要资料，显然不会颇受到自由空两者相互间紫外线的制近而借助于错，因此也可以其设计连续搜索算法对管理的系统里的单独资料借助于访（Enhanced Direct Memory Access, EDMA）、通用可用/编码附加器端口（General Purpose In/Out, GPIO）、多通道附加串行口（Multichannel Buffered Serial Port, McBSP）、分段通信接口（Host Port Interface, HPI）以及里断的掌控寄存附加器进行时以求连续，以意味著管理的系统与其他部件的通信状况保持一致自始；也。

3）资料逆其设计

（1）自由空两者相互间资料逆

近似于的是三模资料逆（Triple Module Redundancy, TMR）其设计，附加半导体器件里某一外遭遇SEE时不会经；也借助于现功能性所致，但其资料逆外仍可保持一致自始；也列车运行。TMR就是将原附加半导体器件进行时3倍解码，然后把原可用接到这三个并联的资料逆附加半导体器件里，这些附加半导体器件的三组编码附加器送进一个大部份计票表格决附加器后就可以编码附加器自始确的接收器，三模资料逆基本概念示意平面图如平面图7示意平面图。

平面图7

只要不经；也借助于现两个附加半导体器件同时借助于错的情况，附加半导体器件的编码附加器就不不会颇受制近，并且还可以根据计票结果对差错的附加半导体器件进行时反馈资料逆。

但这种步骤的不同之处是硬件耗费大、额外时脉较低、制近列车运行速率等。颇受限于具体成本和列车运行时脉，可以给定一些构成的系统里长时两者相互间存有不可或缺变量（如主处理程序的大循环掌控变量）的旋即加要附加半导体器件进行时TMR其设计。根据具体用于效益，还可选复数表格决步骤、里值表格决步骤和平均值表格决步骤等。

此外，针对的系统级资料逆还有双机硬碟的系统，即对管理的系统里的不可或缺附加半导体器件或附加半导体器件其设计灭火硬碟，又可分稀硬碟与冷硬碟。稀硬碟手段固有的切换两者相互间隙与重新启动时两者相互间加剧其实时性不较低，而冷硬碟又不会加大的系统的时脉。

（2）时两者相互间资料逆

三模自由空两者相互间资料逆难以解决时序附加半导体器件里在计时附加器沿邻近遭遇SET跳变的缺陷，这就须要加进时两者相互间资料逆其设计来弥补这个弱点。

时两者相互间资料逆的基本概念是将计时附加器降解计算机系统（Clock Generation Unit, CGU）编码附加器的五路计时附加器之两者相互间其设计一个时两者相互间延迟，从而将五路计时附加器错开，通过避免计时附加器跳变恰好邻近的特罗斯季亚涅齐制近，来加倍缓时序附加半导体器件的抗紫外线效率。的游戏的延迟时两者相互间值就越，可资料逆的特罗斯季亚涅齐间距就就越，附加半导体器件的抗紫外线效率就越过关斩将。该步骤；也与TMR结合起来用于，不同之处是的系统延迟将大大降低。

（3）分析方法硬件与反馈资料逆

分析方法硬件与反馈资料逆是指用附加的分析方法硬件与反馈来充分能用事故侦测及容错资料逆。典型式的例次子有早先等事故诊断处理程序、恢复块较低效率、N发行版处理程序其设计（N-Version Programming, NVP）、缓冲区较低效率、分析方法硬件充分能用的比较附加器、表格决附加器、奇偶校验等结果检验码和差错侦测与纠自始（Error Detection And Correction, EDAC）附加半导体器件等。

美国空军在“自由空两者相互间试验计划-墨菲5号”（Space Test Program-Houston 5, STP-H5）航空航天半导体附加半导体器件的抗紫外线修复科学研究里就使用了EDAC附加半导体器件，其科学研究试验机如平面图8示意平面图。

平面图8

通过上述资料逆较低效率可充分能用事故低速下的事故侦测、事故相对于、容错列车运行和自主资料逆，但的系统的列车运行时延不会大大降低，自始；也低速下的运算生产成本也不会大大加倍缓。

4）实紫外线处理流程

实紫外线处理流程较低效率是在附加半导体器件原材料收尾后，将电网半导体附加半导体器件放于近300℃的较低温下，进行时实碳转化1～4h左右。旋即将已碳转化的附加半导体器件放于紫外线周边环境里进行时实紫外线，然后将紫外线后的附加半导体器件进行时旋即碳转化，可在一定高度上降低附加半导体器件的抗紫外线效率。但并不是所有的附加半导体器件都能在实紫外线处理流程后有抗紫外线效率的降低，甚至有显然助长附加半导体器件破损。

本文编自2022年第6期《技工较低效率学术刊物》，论文末尾为“自由空两者相互间紫外线周边环境对航空航天飞机分布式电网的系统不可或缺部件的制近及短短时间反应解决方案”。第一所作为周荔丹，1973年生，教授，广州电网私立大学技工复旦私立大学中国社会科学院，分析同方向为红光照能量密度分析与要务、动态无功赔偿金与有源线性较低效率、科技广州地区联通较低效率。通讯所作为姚钢，1977年生，教授，复旦私立大学电次子反馈与技工复旦私立大学分析员，分析同方向为借助于交逆会电缆的系统FACTS较低效率、红光照能量密度、科技广州地区联通较低效率、用电较低效率。本课题赢取了国内自然科学基金和国内旋即加点研发计划的资助。

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